GTEM小室可看成是將50Ω同軸電纜進(jìn)行空間上的擴(kuò)展，以便容下被測(cè)對(duì)象。同軸電纜的芯線被擴(kuò)展為GTEM小室的芯板(Minner conductor or septum)，同軸電纜的外皮被做成GTEM小室的外殼(outer conductor or housing)。GTEM小室內(nèi)部的特性阻抗依舊被設(shè)計(jì)成50Ω，為了防止輸入的電磁波在內(nèi)部腔體的末端產(chǎn)生反射，把芯板的末端接到了寬帶的匹配負(fù)載上，在腔體的末端還安放了吸波材料以便將發(fā)射到末端的電磁波吸收。
 

　　波導(dǎo)內(nèi)的橫向電磁波沿著芯板進(jìn)行傳播，產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度與芯板上所施加的電壓成正比。不同位置的場(chǎng)的強(qiáng)度還取決于芯板的高度(內(nèi)導(dǎo)體與地之間的距離)，越靠近隔板，場(chǎng)強(qiáng)就越強(qiáng)。波導(dǎo)的尺寸可根據(jù)被測(cè)物的尺寸進(jìn)行選擇，被測(cè)物要放置在GTEM波導(dǎo)內(nèi)部的末端，也就是門(mén)的位置附近。能夠測(cè)量的被測(cè)物的尺寸取決于芯板的高度，也就是內(nèi)導(dǎo)體芯板與地之間的距離，通常可參照被測(cè)物的高度約為芯板的高度的0.33h，可擴(kuò)充至0.5h。
 

　　GTEM小室采用同軸及非對(duì)稱矩形傳輸線設(shè)計(jì)原理，為避免內(nèi)部電磁波的反射及產(chǎn)生高階模式和諧振，總體設(shè)計(jì)為尖劈形。輸入端口采用N型同軸接頭，而后漸變至非對(duì)稱矩形傳輸以減少結(jié)構(gòu)突變所引起的電波反射。為使GTEM內(nèi)部達(dá)到良好的阻抗匹配與較大的可用體積，選取并調(diào)測(cè)了合適的角度、芯板寬度和非對(duì)稱性。
 

　　為使球面波從源輸入端到負(fù)載不產(chǎn)生時(shí)間差和相位差，并具有良好的高低頻特性，終端采用電阻式匹配網(wǎng)絡(luò)與高性能吸波材料組合成的復(fù)合負(fù)載結(jié)構(gòu)。
 

　　GTEM作為一個(gè)單端口網(wǎng)絡(luò)，其內(nèi)部的阻抗分布參數(shù)及匹配狀況只有通過(guò)時(shí)域阻抗測(cè)試才能給予正確的分析與評(píng)定，而系統(tǒng)電磁場(chǎng)的分布和邊界條件的確定也依賴于特性阻抗的準(zhǔn)確給定。所以GTEM時(shí)域阻抗的測(cè)試是非常重要的。
 

　　電壓駐波比的測(cè)量是在輸入端口參考面對(duì)GTEM的阻抗匹配和電波反射狀況進(jìn)行評(píng)定。當(dāng)輸入信號(hào)時(shí)，其匹配性能好壞將直接影響信號(hào)源有效功率的輸出。如果電壓駐波比過(guò)大，將增加電磁場(chǎng)的計(jì)算誤差，影響內(nèi)部電磁場(chǎng)分布，并使系統(tǒng)的準(zhǔn)確度下降。